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伯东进口KRi 射频离子源 RFICP 220
- 更新时间：2023-07-09
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叶南晶 女士
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KRi 射频离子源 RFICP 220
上海伯东代理美国原装进口 KRi 射频离子源 RFICP 220 高能量栅极离子源, 适用于离子溅镀, 离子沉积和离子蚀刻. 在离子束溅射工艺中, 射频离子源 RFICP 220 配有离子光学元件, 可以很好的控制离子束去溅射靶材, 实现更佳的薄膜特性. 同样的在离子束辅助沉积和离子束刻蚀工艺中, 离子光学元件能够完成发散和聚集离子束的任务. 标准配置下射频离子源 RFICP 220 离子能量范围 100 至 1200ev, 离子电流可以超过 1000 mA.
KRI 射频离子源 RFICP 220 技术参数:
阳极 | 电感耦合等离子体 |
大阳极功率 | >1kW |
大离子束流 | > 1000mA |
电压范围 | 100-1200V |
离子束动能 | 100-1200eV |
气体 | Ar, O2, N2, 其他 |
流量 | 5-50 sccm |
压力 | < 0.5mTorr |
离子光学, 自对准 | OptiBeamTM |
离子束栅极 | 22cm Φ |
栅极材质 | 钼 |
离子束流形状 | 平行,聚焦,散射 |
中和器 | LFN 2000, MHC 1000 |
高度 | 30 cm |
直径 | 41 cm |
锁紧安装法兰 | 10”CF |
KRI 射频离子源 RFICP 220 基本尺寸
KRI 射频离子源 RFICP 220 应用领域：
预清洗
表面改性
辅助镀膜 (光学镀膜) IBAD,
溅镀和蒸发镀膜 PC
离子溅射沉积和多层结构 IBSD
离子蚀刻 IBE
射频离子源 RFICP 220 集成于半导体设备, 实现 8寸芯片蚀刻
1978 年 Dr. Kaufman 博士在美国创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研发生产宽束离子源, 根据设计原理分为考夫曼离子源, 霍尔离子源和射频离子源. 美国考夫曼离子源历经 40 年改良及发展已取得多项专利. KRi 离子源广泛用于离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 和离子束抛光工艺 IBF 等领域, 上海伯东是美国 KRi 考夫曼离子源中国总代理.
若您需要进一步的了解 KRI 射频离子源, 请参考以下联络方式
上海伯东: 罗先生
