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KRI 离子源应用于金属热蒸镀设备
- 更新时间：2023-06-09
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叶南晶 女士
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已收藏KRI 离子源应用于金属热蒸镀设备 Metal Thermal Evaporation System
热蒸发是物理气相沉积 PVD 中常用方法. 使用电加热的蒸发源可用于沉积大多数的有机和无机薄膜, 其中以电阻式加热法为常见. 这些蒸发源的优点为它们可以提供一种简单的薄膜沉积方法, 以电流通过其容纳材料的舟为方式, 从而加热材料. 当沉积材料的蒸气压超过真空室的温度时, 材料将开始蒸发并沉积到基板上并且在于热蒸发时可以的控制蒸发速度, 且薄膜的厚度和均匀度小于 +/- 3％. 上海伯东美国 KRI 考夫曼离子源可用于基板清洁和加速材料的蒸发速度, 并且离子源在材料沉积过程中可帮助沉积并使沉积后的薄膜更为致密.
----------- 金属热蒸镀设备 Metal Thermal Evaporation System ----------
KRI 射频离子源 RFICP 系列技术参数:
型号 | RFICP 40 | RFICP 100 | RFICP 140 | RFICP 220 | RFICP 380 |
Discharge 阳极 | RF 射频 | RF 射频 | RF 射频 | RF 射频 | RF 射频 |
离子束流 | >100 mA | >350 mA | >600 mA | >800 mA | >1500 mA |
离子动能 | 100-1200 V | 100-1200 V | 100-1200 V | 100-1200 V | 100-1200 V |
栅极直径 | 4 cm Φ | 10 cm Φ | 14 cm Φ | 20 cm Φ | 30 cm Φ |
离子束 | 聚焦, 平行, 散射 | ||||
流量 | 3-10 sccm | 5-30 sccm | 5-30 sccm | 10-40 sccm | 15-50 sccm |
通气 | Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 | ||||
典型压力 | < 0.5m Torr | < 0.5m Torr | < 0.5m Torr | < 0.5m Torr | < 0.5m Torr |
长度 | 12.7 cm | 23.5 cm | 24.6 cm | 30 cm | 39 cm |
直径 | 13.5 cm | 19.1 cm | 24.6 cm | 41 cm | 59 cm |
中和器 | LFN 2000 | ||||
KRI 考夫曼离子源 KDC 技术参数:
型号 | KDC 10 | KDC 40 | KDC 75 | KDC 100 | KDC 160 |
Discharge 阳极 | DC 电流 | DC 电流 | DC 电流 | DC 电流 | DC 电流 |
离子束流 | >10 mA | >100 mA | >250 mA | >400 mA | >650 mA |
离子动能 | 100-1200 V | 100-1200 V | 100-1200 V | 100-1200 V | 100-1200 V |
栅极直径 | 1 cm Φ | 4 cm Φ | 7.5 cm Φ | 12 cm Φ | 16 cm Φ |
离子束 | 聚焦, 平行, 散射 | ||||
流量 | 1-5 sccm | 2-10 sccm | 2-15 sccm | 2-20 sccm | 2-30 sccm |
通气 | Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 | ||||
典型压力 | < 0.5m Torr | < 0.5m Torr | < 0.5m Torr | < 0.5m Torr | < 0.5m Torr |
长度 | 11.5 cm | 17.1 cm | 20.1 cm | 23.5 cm | 25.2 cm |
直径 | 4 cm | 9 cm | 14 cm | 19.4 cm | 23.2 cm |
中和器 | 灯丝 | ||||
若您需要进一步的了解离子源详细信息或讨论, 请参考以下联络方式:
上海伯东: 罗先生
